美国科研团队基于二维磁体三碘化铬开发出了超薄磁性材料，有望用于研制新型存储设备，从而大幅提高信息存储密度并减少能量耗损。该研究成果于2018年5月发表在Science 杂志上。

所谓二维磁体是只有一层原子还能保有磁性的材料。三碘化铬的晶体结构是层叠状的，在-228℃以下环境中，单个原子厚的三碘化铬材料具有永磁体特性。这种材料在低温下还展示出独特的层间反铁磁性，可高效用于允许或禁止电子流动。

研究人员将两层三碘化铬置于两层导电的石墨烯间，当这两层三碘化铬中的电子自旋指向相同或相反时，电子可无阻通行或基本被阻止，这被称为“隧穿磁阻效应”。

可实现这种效应的结构被称为“磁性隧道结”，它是磁性信息存储的最基本单元。研究人员利用新型二维磁性材料三碘化铬，可基于“电子自旋”对电子流动进行调控，从而实现存储信息。

数据来源：http://science.sciencemag.org/content/early/2018/05/02/science.aar4851