超薄磁性材料有望用于开发新型存储设备

发布时间:2018-07-06

美国科研团队基于二维磁体三碘化铬开发出了超薄磁性材料,有望用于研制新型存储设备,从而大幅提高信息存储密度并减少能量耗损。该研究成果于2018年5月发表在Science 杂志上。

所谓二维磁体是只有一层原子还能保有磁性的材料。三碘化铬的晶体结构是层叠状的,在-228℃以下环境中,单个原子厚的三碘化铬材料具有永磁体特性。这种材料在低温下还展示出独特的层间反铁磁性,可高效用于允许或禁止电子流动。

研究人员将两层三碘化铬置于两层导电的石墨烯间,当这两层三碘化铬中的电子自旋指向相同或相反时,电子可无阻通行或基本被阻止,这被称为“隧穿磁阻效应”。

可实现这种效应的结构被称为“磁性隧道结”,它是磁性信息存储的最基本单元。研究人员利用新型二维磁性材料三碘化铬,可基于“电子自旋”对电子流动进行调控,从而实现存储信息。

数据来源:http://science.sciencemag.org/content/early/2018/05/02/science.aar4851

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